Ni‑TPCOF光学带隙Eopt为1.66 eV,H‑TPCOF为1.99 eV(更窄的带隙有利于电荷分离),两者均为p型半导体。激子结合能Eb计算结果为H‑TPCOF 0.91 eV;Ni‑TPCOF 0.48 eV。也证明了Ni的引入显著降低了激子结合能。瞬态光致发光光谱(TRPL)表明Ni‑TPCOF具有更长的平均弛豫寿命(8.31 ns vs. H‑TPCOF),表明光生载流子更稳定,更易被捕获用于反应;瞬态光电流:显示Ni‑TPCOF光电流密度(约1.3 µA/cm²)约为H‑TPCOF的三倍,证明电荷分离效率更高。机理分析:
H‑TPCOF——电子和空穴沿大环-大环路径迁移,复合概率高。
Ni‑TPCOF——电子沿金属-金属通道,空穴沿大环-大环通道迁移,实现了长寿命的电荷分离态。
Ni‑TPCOF的极低Sr/D值(0.007)证明了更强的D-A相互作用和更明显的电荷转移,这是降低Eb的直接证据。
DFT计算显示,NO₂在Ni-TPCOF上的吸附能为−0.53 eV,远高于H-TPCOF的−0.31 eV。更强的吸附源于Ni离子d轨道向NO₂分子π*轨道的反馈π键作用——介于物理吸附和化学吸附之间的“恰到好处”,既保证了吸附容量,又保留了可逆性。吸附后的电荷转移量也发生了质的飞跃,Bader电荷分析表明,NO₂从Ni-TPCOF获得了0.37 e的电子,而在H-TPCOF上仅获得0.05 e。
光照条件下,Ni-TPCOF产生了更多的光生电子并能够快速累积。时间分辨光致发光谱显示其载流子寿命延长至8.31 ns,瞬态光电流密度约为H-TPCOF的3倍。原位EPR和DRIFT测试进一步证明,光生电子高效迁移至Ni活性位点,将NO₂还原为NO₂⁻、NO₃⁻等中间物种,而充分分离的空穴则促进了NO₂的可逆脱附。
团队还将这一“激子工程”策略应用于其他几类典型的敏感材料,包括金属硫化物(PDI-WS₂)、石墨相氮化碳聚合物(d-CD/C₃N₄)、钙钛矿(FAPbI₃-TPSH)、金属氧化物(Sc-TiO₂),结果显示,这些材料经激子结合能调控后,对10 ppm NO₂的灵敏度分别提升了3.2倍、5.0倍、1.7倍和3.3倍,响应速度也提升了1.2–1.4倍。对于金属氧化物体系,该策略同样提升了其对甲醇、丙酮、甲醛等多种VOCs的检测能力。这说明降低激子结合能是提升光激发气敏性能的一种普适性“底层逻辑”,有望为更多传统敏感材料带来性能升级。
Fig5. 用于阐明传感性能增强原因的DFT计算结果与原位表征。(a) NO₂分子最稳定吸附构型的侧视图,以及(b) NO₂分子吸附在H-TPCOF和Ni-TPCOF上的电荷密度差。(c,d) 计算的HOMO和LUMO分布,(e) D–A对激发态的空穴-电子分布以确定电荷转移模式,(f) H-TPCOF和Ni-TPCOF的空穴和电子质心。橙色和灰色分别代表电子密度增加和减少。D和Sr分别代表电子激发时空穴与电子质心之间的距离和重叠积分。(g,h) H-TPCOF和Ni-TPCOF在紫外光照射(365 nm紫外灯)下的时间依赖EPR谱。(i) Ni-TPCOF在紫外照射下吸附10 ppm NO₂过程中的原位DRIFT光谱。